參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S26060HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465I-02, NI-400-240, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： MRF8S26060HR3
MRF8S26060HR3 MRF8S26060HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
2570
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 15.5 Watts Avg.
0
-10
-20
15.8
17.4
17.2
17
-40
35
34
33
31
-35
-36
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
16.8
16.6
16.4
16.2
16
2590
2610
2630
2650
2670
2690
2710
2730
32
-37
-25
PARC
P
ARC
(dB)
0
-0.5
-1
-1.5
-2.5
ACPR
(dBc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two-T one Spacing
TWO-T ONE SPACING (MHz)
10
-2 0
-3 0
-5 0
1
100
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
-4 0
IM3-U
IM3-L
IM5-U
IM5-L
IM7-U
VDD = 28 Vdc, Pout = 52 W (PEP), IDQ = 450 mA
Two-Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2655 MHz
Figure 4. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-2
-4
-6
20
-1
-3
OUTPUT
COMPRESSION
A
T
0.01%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
10
30
40
60
24
60
48
42
36
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
ACPR
PARC
ACPR
(dBc)
-50
-20
-30
-25
-35
17
G
ps
,POWER
GAIN
(dB) 15
16
14
13
11
Gps
-2 dB = 20 W
-3 dB = 27 W
-60
-1 0
IM7-L
15.6
15.4
-38
-39
-15
-2
12
-5
50
-40
54
-1 dB = 15 W
-5
-45
30
VDD = 28 Vdc, Pout = 15.5 W (Avg.), IDQ = 450 mA
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
V
DD = 28 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 2655 MHz, Single-Carrier
W-CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @
0.01% Probability on CCDF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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