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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S21200HR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 580K |
| 代理商： | MRF8S21200HR6 |
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 48 Watts Avg.
17
19
--38
34
32
31
--36.4
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
18.8
18.6
18.4
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200 2220
--34
--17
PARC
PA
RC
(d
B)
AC
PR
(d
Bc)
17.8
17.4
--8
VDD =28 Vdc,Pout =48 W (Avg.),IDQ = 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
17.2
17.6
18.2
18
--37.2
--35.6
--34.8
30
33
--15.2
--13.4
--11.6
--9.8
--2.5
0
--2
--1.5
--1
--0.5
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
VDD =28 Vdc,Pout = 140 W (PEP), IDQ = 1400 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 5. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
20
40
120
18
48
43
38
33
28
23
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 42 W
80
ηD
AC
PR
(d
Bc)
--50
--20
--25
--30
--40
--35
--45
19
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
18.5
18
17.5
17
16.5
16
--2 dB = 57 W
--3 dB = 76 W
60
ACPR
--10
100
Gps
PARC
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,IDQ = 1400 mA, f = 2140 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth, Input
Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
ηD
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