參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21172HR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大?。?/td> 445K
代理商： MRF8S21172HR5
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
VDD =28 Vdc,IDQ = 1350 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
f
(MHz)
Zsource
()
Zload (1)
()
Max Output Power
P1dB
P3dB
(dBm)
(W)
ηD (%)
(dBm)
(W)
ηD (%)
2110
5.81 -- j7.39
1.52 -- j3.75
52.9
195
50.3
53.7
234
50.9
2140
7.36 -- j5.98
1.60 -- j3.97
52.8
191
49.0
53.7
234
50.7
2170
9.91 -- j3.25
1.43 -- j4.22
52.8
191
49.1
53.7
234
51.1
(1) Load impedance for optimum P1dB power.
Zsource = Impedance as measured from gate contact to ground.
Zload = Impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 10. Load Pull Performance — Maximum P1dB Tuning
Z source
Z load
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
VDD =28 Vdc,IDQ = 1350 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
f
(MHz)
Zsource
()
Zload (1)
()
Max Drain Efficiency
P1dB
P3dB
(dBm)
(W)
ηD (%)
(dBm)
(W)
ηD (%)
2110
5.81 -- j7.39
3.31 -- j2.75
51.4
138
57.9
52.1
162
60.6
2140
7.36 -- j5.98
3.06 -- j2.54
51.7
148
57.6
52.2
166
60.4
2170
9.91 -- j3.25
2.96 -- j2.98
51.8
151
57.0
52.4
174
60.4
(1) Load impedance for optimum P1dB efficiency.
Zsource = Impedance as measured from gate contact to ground.
Zload = Impedance as measured from drain contact to ground.
Figure 11. Load Pull Performance — Maximum Efficiency Tuning
Z source
Z load
Input
Load Pull
Tuner
Device
Under
Test
Output
Load Pull
Tuner
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S23120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S23120HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S26060HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF8S21172HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21200HR5 功能描述:射頻無(wú)線(xiàn)雜項(xiàng) HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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MRF8S21200HR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
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