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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S21172HR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 445K |
| 代理商： | MRF8S21172HR5 |
MRF8S21172HR3 MRF8S21172HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 42 Watts Avg.
--14
--10
--11
--12
--13
17
18
17.9
17.8
--36
35
34
33
32
--31
--32
--33
--34
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
17.7
17.6
17.5
17.4
17.3
17.2
17.1
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200 2220
31
--35
--15
PARC
PA
RC
(d
B)
--2.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2
--2.4
AC
PR
(d
Bc)
VDD =28 Vdc,Pout =42 W (Avg.),IDQ = 1350 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 104 W (PEP), IDQ = 1350 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
30
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
20
40
50
70
20
44
40
36
32
28
24
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 35 W
--2 dB = 49 W
--3 dB = 65 W
60
VDD =28 Vdc,IDQ = 1350 mA, f = 2140 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--50
--20
--25
--30
--40
--35
--45
18.5
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
18
17.5
17
16.5
16
15.5
Gps
Input Signal PAR = 7.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21172HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21200HR6 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S23120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S23120HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S26060HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF8S21172HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| MRF8S21200HR6 | 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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