參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21140HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： MRF8S21140HSR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S21140HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S23120HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S21140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HR3_12 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S21172HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21172HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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