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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S19260HSR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 375J-02, NI-1230S-8, 8 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 483K |
| 代理商： | MRF8S19260HSR6 |
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MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD =30 Vdc,IDQ = 1600 mA, Pout =74 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1880
2.97 -- j0.46
0.95 -- j1.96
1900
3.16 -- j0.43
0.93 -- j1.86
1920
3.36 -- j0.42
0.92 -- j1.75
1940
3.58 -- j0.45
0.91 -- j1.65
1960
3.80 -- j0.53
0.91 -- j1.56
1980
4.02 -- j0.65
0.90 -- j1.46
2000
4.24 -- j0.83
0.90 -- j1.37
2020
4.43 -- j1.06
0.89 -- j1.29
2040
4.58 -- j1.35
0.89 -- j1.20
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 10. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21100HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF8S21100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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