參數(shù)資料
型號： MRF8S18260HSR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-1230S, CASE 375J-02, 8 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 371K
代理商： MRF8S18260HSR6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =30 Vdc,IDQ = 1600 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on) 10% Duty Cycle
56
54
52
37
57
55
49
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 30 V
53
58
60
35
33
41
32
31
59
51
50
30
Ideal
Actual
34
38
39
40
1880 MHz
1845 MHz
1880 MHz
1845 MHz
1805 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1805
302
54.8
363
55.6
1845
324
55.1
389
55.9
1880
302
54.8
389
55.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
1805
P1dB
1.14 -- j3.12
0.75 -- j0.93
1845
P1dB
1.61 -- j3.61
0.58 -- j0.10
1880
P1dB
2.93 -- j3.80
0.51 -- j1.14
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 30 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S18260HR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF8S19140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19140HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF8S19140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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