參數(shù)資料
型號： MRF8S18260HR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375I-03, 8 PIN
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大小： 371K
代理商： MRF8S18260HR6
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD =30 Vdc,IDQ = 1600 mA, Pout =74 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
1760
2.81 -- j3.85
0.90 -- j1.84
1780
2.58 -- j3.93
0.90 -- j1.75
1800
2.33 -- j3.97
0.90 -- j1.67
1820
2.08 -- j3.95
0.90 -- j1.58
1840
1.85 -- j3.91
0.90 -- j1.50
1860
1.63 -- j3.83
0.91 -- j1.41
1880
1.43 -- j3.73
0.91 -- j1.34
1900
1.25 -- j3.61
0.92 -- j1.26
1920
1.09 -- j3.48
0.93 -- j1.18
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 10. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S19140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S19260HSR6 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21100HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8S18260HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S18260HSR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S19140HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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