- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98041 > MRF8P20165WHSR5 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8P20165WHSR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/16頁(yè) |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MRF8P20165WHSR5 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
MRF8P20165WHR3 MRF8P20165WHSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
PA
RC
(d
B)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. 2--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout = 37 Watts Avg.
--3.5
--2.5
--2.75
--3
--3.25
10
20
19
18
--37
52
50
48
46
--27
--29
--31
--33
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 17
16
15
14
13
12
11
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
44
--35
--3.75
IM3,
TH
IRD
O
RDER
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
(dB
c)
--25
--21
--22
--23
--24
--26
AC
PR
(d
Bc)
IM3
PARC
VDD =28 Vdc,Pout =37 W (Avg.),IDQA = 550 mA, VGSB =1.3 Vdc
2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
30 MHz Carrier Spacing, Input Signal
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF
PA
RC
(d
B)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout = 37 Watts Avg.
--3.5
--2.5
--2.75
--3
--3.25
10
20
19
18
--36
52
50
48
46
--26
--28
--30
--32
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 17
16
15
14
13
12
11
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
44
--34
--3.75
AC
PR
(d
Bc)
PARC
VDD =28 Vdc,Pout =37 W (Avg.),IDQA = 550 mA, VGSB =1.3 Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
200
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
100
VDD =28 Vdc,Pout = 74 W (PEP), IDQA = 550 mA, VGSB =1.3 Vdc
Two--Tone Measurements, (f1 + f2)/2 = Center
Frequency of 1960 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P23080HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P23080HR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P26080HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P26080HR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8P26080HR5 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8P23080HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P23080HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P23080HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P23080HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P23160WHR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.3GHz 160W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。