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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8P20161HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/13頁(yè) |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | MRF8P20161HSR3 |
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MRF8P20161HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
12
18
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
16
10
300
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
15
14
13
0
--30
--40
--50
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
18
1750
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQA = 550 mA
VGSB =1.6 Vdc
12
9
6
1800
GAIN
(d
B)
15
1850 1900 1950
2050 2100 2150 2200
--60
0
--10
--20
--30
--40
IRL
(dB)
3--50
1920 MHz
VDD =28 Vdc,IDQA = 550 mA, VGSB =1.6 Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
ηD
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
1880 MHz
1900 MHz
1920 MHz
1900 MHz
1880 MHz
100
2000
Gain
IRL
W--CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
12
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
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PDF描述 |
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| MRF8P20165WHR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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