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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8P20161HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | MRF8P20161HSR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20161HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
1860
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 37 Watts Avg.
--26
--18
--20
--22
--24
15.8
16.8
16.7
16.6
--31
46
45
44
43
--25
--26.2
--27.4
--28.6
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 16.5
16.4
16.3
16.2
16.1
16
15.9
1870
1880
1890
1900
1910
1920
1930 1940
42
--29.8
--28
PARC
PA
RC
(d
B)
--3.8
--3
--3.2
--3.4
--3.6
--4
AC
PR
(d
Bc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--2
--4
--6
30
--1
--3
--5
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
10
50
70
110
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
90
ηD
ACPR
AC
PR
(d
Bc)
--45
--15
--20
--25
--35
--30
--40
18
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
16
15
14
13
12
Gps
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @
0.01% Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =37 W (Avg.),IDQA = 550 mA
VGSB = 1.6 Vdc, Single--Carrier W--CDMA
IM7--L
IM5--L
IM5--U
VDD =28 Vdc,Pout = 30 W (PEP)
IDQA = 550 mA, VGSB = 1.6 Vdc, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1900 MHz
ηD
IM3--U
IM3--L
IM7--U
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
--1 dB = 16 W
--3dB = 34.5W
--2dB = 24.5W
PARC
VDD =28 Vdc
IDQA = 550 mA
VGSB =1.6 Vdc
f = 1900 MHz
Input Signal PAR = 9.9 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
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PDF描述 |
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