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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8P20160HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465M-01, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 807K |
| 代理商： | MRF8P20160HR3 |
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MRF8P20160HR3 MRF8P20160HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 2025 MHz
ηD
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
1995
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 20 Watts Avg.
--18
--16
--16.5
--17
--17.5
14.7
15.7
15.6
15.5
--34
44
43
42
41
--29
--30
--31
--32
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 15.4
15.3
15.2
15.1
15
14.9
14.8
2000
2005
2010
2015
2020
2025
2030 2035
40
--33
--18.5
PARC
PA
RC
(d
B)
--4.5
--2.5
--3
--3.5
--4
--5
AC
PR
(d
Bc)
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 16. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
11
17
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
16
15
10
300
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
14
13
12
0
--30
--40
--50
Figure 17. Broadband Frequency Response
0
18
1850
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQA = 550 mA
VGSB =1.6 Vdc
12
9
6
1900
GAIN
(d
B)
15
Gain
1950
2000
2050
2100
2150
2200
IRL
--30
0
--5
--10
--15
--20
IRL
(dB)
3--25
2010 MHz
2025 MHz
2010 MHz
2025 MHz
VDD =28 Vdc,IDQA = 550 mA, VGSB =1.6 Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =37 W (Avg.),IDQA = 550 mA
VGSB = 1.6 Vdc, Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
100
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