參數(shù)資料
型號： MRF7S19100NR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 10/15頁
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代理商： MRF7S19100NR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
46
62
32
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on),
10% Duty Cycle,
f = 1960 MHz
58
54
52
50
46
34
38
36
40
44
42
Actual
Ideal
60
56
48
30
P
o
,
P6dB = 52.12 dBm (162.60 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
P3dB = 51.61 dBm (144.90 W)
P1dB = 50.39 dBm
(109.50 W)
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.39 - j5.66
1.81 - j3.27
Figure 16. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
46
62
32
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on),
10% Duty Cycle,
f = 1960 MHz
58
54
52
50
46
34
38
36
40
44
42
Actual
Ideal
60
56
48
30
P
o
,
P6dB = 52.81 dBm (190.80 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
P3dB = 52.20 dBm (165.90 W)
P1dB = 50.94 dBm
(124.20 W)
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.39 - j5.66
1.81 - j3.27
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
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PDF描述
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MRF7S18170HSR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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MCF5251CEVM140 ColdFire Processor
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