參數(shù)資料
型號： MRF6S9160HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 546K
代理商： MRF6S9160HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
17
5
8
11
14
20
G
p
,
I
A
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 35 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
65
32
28
24
40
50
55
η
D
,
E
η
D
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 35 W (Avg.)
I
DQ
= 1200 mA, NCDMA IS95 (Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
60
45
26
30
20.9
20.6
20
19.4
18.8
18.2
17.9
18.5
19.1
19.7
20.3
ALT1
15
3
6
9
12
18
G
p
,
I
A
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 70 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
60
44
40
36
30
42
48
η
D
,
E
η
D
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 70 W (Avg.)
I
DQ
= 1200 mA, NCDMA IS95 (Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
54
36
38
42
20.3
20
19.4
18.8
18.2
17.6
17.3
17.9
18.5
19.1
19.7
ALT1
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
15
23
1
I
DQ
= 1800 mA
1500 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
17
10
400
G
p
,
16
600 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
900 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
20
1
I
DQ
= 600 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
40
50
70
10
I
I
10
900 mA
1800 mA
400
1500 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
22
20
18
1200 mA
60
1200 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCHC908JW32FC Microcontrollers
MRF7S19100NR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S18170HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S18170HSR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MCF5251CDVM140 ColdFire Processor
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參數(shù)描述
MRF6S9160HSR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6V10010NR4 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V10010NR4-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V10010N Series 1090 MHz 10 W 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF6V10010NT1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 10W PULSE PLD1.5 - Tape and Reel
MRF6V10250HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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