參數資料
型號： MRF6S9160HSR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側）
文件頁數： 5/12頁
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代理商： MRF6S9160HSR3
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF6S9160HR3(SR3)
Test Circuit Component Layout
C
C16
900 MHz
Rev. 2
C17
B1
C18
C19
R2
R1
L1
C1
C3
C4
C6
B2
C24
C22 C23
C21
C7 C9
C5
C2
C15
C13
C12
C11
C10
C8
L2
C20
C14
相關PDF資料
PDF描述
MCHC908JW32FC Microcontrollers
MRF7S19100NR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S18170HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S18170HSR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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相關代理商/技術參數
參數描述
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MRF6V10010NR4 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V10010NR4-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V10010N Series 1090 MHz 10 W 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF6V10010NT1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 10W PULSE PLD1.5 - Tape and Reel
MRF6V10250HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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