參數(shù)資料
型號： MRF6S19060NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大?。?/td> 622K
代理商： MRF6S19060NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
1930
1960
1990
4.15 - j5.58
4.22 - j5.10
4.17 - j5.34
4.54 - j7.95
4.33 - j7.74
4.20 - j7.43
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA, P
out
= 12 W Avg.
Z
o
= 10
Ω
Z
load
f = 1930 MHz
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 1990 MHz
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
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PDF描述
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