參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19060NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大小： 622K
代理商： MRF6S19060NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
12
19
1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
10
18
16
14
60
50
40
30
η
D
,
G
p
,
17
15
13
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 610 mA
f = 1960 MHz
η
D
G
ps
I
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
10
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (PEP), I
DQ
= 610 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
10
30
40
30
40
10
10
100
50
37
53
P3dB = 49.503 dBm (89.19 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
49
45
41
39
27
25
31
29
35
Actual
Ideal
51
47
43
23
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
IM3
G
ps
η
D
,
p
,
I
P
o
,
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
100
12
17
0
14
13
20
15
16
I
DQ
= 610 mA
f = 1960 MHz
50
60
η
D
ACPR
20
V
24
V
28
V
32
V
33
1
20
40
60
80
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier
Spacing, 1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
10
20
P1dB = 48.792 dBm (75.72 W)
20
T
C
= 30 C
85 C
30 C
25 C
25 C
85 C
30 C
25 C
30 C
85 C
25 C
T
C
= 30 C
85 C
25 C
85 C
30 C
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PDF描述
MRF6S9160HSR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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