參數(shù)資料
型號： MRF10120
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave Power Transistor, NPN Silicon(微波NPN硅射頻功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CASE 355C-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MRF10120
3
MRF10120
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Input Power
Figure 4. Series Equivalent Input Impedances
Figure 5. Series Equivalent Output Impedance
o
200
0
Pin, INPUT POWER (WATTS pk)
150
100
50
0
f = 960 MHz
VCC = 36 V
5
10
15
20
25
o
200
0
Pin, INPUT POWER (WATTS pk)
150
100
50
0
5
10
15
20
25
f = 1215 MHz
VCC = 36 V
f = 960 MHz
1215
1025
1090
1150
1025
1090
1215
1150
f = 960 MHz
VCC = 36 V, Pout = 120 W
f (MHz)
Zin (OHMS)
1.45 + j2.57
2.22 + j2.91
2.77 + j2.80
2.90 + j2.22
2.71 + j1.07
960
1025
1090
1150
1215
VCC = 36 V, Pout = 120 W
f (MHz)
ZOL* (OHMS)
5.33 + j1.37
4.59 – j0.307
3.74 – j0.612
2.43 – j0.492
1.80 – j0.385
960
1025
1090
1150
1215
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance into which the device out
put operates at a given output power, voltage and frequency.
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