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參數(shù)資料
| 型號： | MR4S16ACTS35C |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | MR4S16ACTS35C |
Timing Specifications
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
13
Figure 7. Write Cycle 2 (E Controlled)
t
AVAV
t
AVEH
A (ADDRESS)
DATA VALID
E (CHIP ENABLE)
W (WRITE ENABLE)
LB,UB (BYTE ENABLE)
Q (DATA OUT)
D (DATA IN)
t
EHAX
Hi-Z
t
ELEH
t
DVEH
t
AVEL
t
ELWH
t
EHDX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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