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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MR0S16AVYS35 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | MR0S16AVYS35 |
Electrical Specifications
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
7
Figure 3. Output Load for ac Test
Table 7. Capacitance
1
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Address input capacitance
C
In
—
6
pF
Control input capacitance
C
In
—
6
pF
Input/output capacitance
C
I/O
—
8
pF
NOTES:
1
f = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T
A
= 25C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 8. ac Measurement Conditions
Parameter
Value
1.5 V
1.5 V
0 or 3.0 V
2 ns
See Figure 3A
See Figure 3B
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
A
B
OUTPUT
R
L
= 50
Ω
V
L
= 1.5 V
Z
D
= 50
Ω
OUTPUT
600
Ω
725
Ω
5 pF
+3.3 V
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PDF描述 |
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