參數(shù)資料
型號(hào)： MPTE-18RL4
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 41A-04, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： MPTE-18RL4
1N6373 – 1N6381 Series (ICTE–5 – ICTE–36, MPTE–5 – MPTE–45)
http://onsemi.com
3
Figure 1. Pulse Rating Curve
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100 125 150 175
200
PEAK
PULSE
DERA
TING
IN
%
OF
PEAK
POWER
OR
CURRENT
@
T A
=25
C°
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 2. Pulse Derating Curve
5
4
3
2
1
25
50
75
100
125
150
175
200
P D
,STEADY
ST
ATE
POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
3/8″
0
100
50
0
01
2
3
4
t, TIME (ms)
,V
ALUE
(%)
tr ≤ 10 ms
tP
PEAK VALUE - IPP
HALF VALUE -
IPP
2
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED AS
THAT POINT WHERE THE PEAK
CURRENT DECAYS TO 50% OF IPP.
1 ms
10 ms
100 ms
1 ms
10 ms
100
10
1
tP, PULSE WIDTH
P PK
,PEAK
POWER
(kW)
NONREPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN IN FIGURE 5
0.1 ms
I PP
Figure 3. Capacitance versus Breakdown Voltage
Figure 4. Steady State Power Derating
Figure 5. Pulse Waveform
1N6373, ICTE-5, MPTE-5,
through
1N6389, ICTE-45, C, MPTE-45, C
VBR, BREAKDOWN VOLTAGE (VOLTS)
1
10
100
1000
10,000
1000
100
10
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
MEASURED @
ZERO BIAS
MEASURED @ VRWM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPZ5-180C 40000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MQ1N6508 UNIDIRECTIONAL, 16 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MSP1N6508 UNIDIRECTIONAL, 16 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MQUMA5819 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MQUPS340E3 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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