參數(shù)資料
型號： MPSW13
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 113K
代理商： MPSW13
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
30
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
10
Vdc
Collector Current — Continuous
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
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by MPSW13/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
123
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
REV 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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