參數(shù)資料
型號： MPSW45A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MPSW45A
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSW45
MPSW45A
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
40
50
Vdc
Collector–Base Voltage
50
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
12
12
Vdc
Collector Current — Continuous
1.0
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, VBE = 0)
MPSW45
MPSW45A
V(BR)CES
40
50
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
MPSW45
MPSW45A
V(BR)CBO
50
60
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPSW45
MPSW45A
ICBO
—
—
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MPSW45/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
*Motorola Preferred Device
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
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