參數(shù)資料
型號： MPSA06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 81K
代理商： MPSA06
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
4
Figure 8. MPSA05/06 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 9. MPSA55/56 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 10. MPSA05/06 DC Current Gain
Figure 11. MPSA55/56 DC Current Gain
Figure 12. MPSA05/06 “ON” Voltages
Figure 13. MPSA55/56 “ON” Voltages
2.0
500
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
NPN
PNP
T
J
= 125
°
C
10
500
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
T
J
= 25
°
C
V
V
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
70
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
50
1.0
500
200
100
70
50
20
10
20
30
IC
2.0
5.0
1.0 k
700
2.0
5.0
50
1.0 k
700
IC
1.0 ms
1.0 s
T
A
= 25
°
C
MPSA05
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA06
100
70
20
3.0
7.0
100 s
T
C
= 25
°
C
1.0
3.0
5.0
V
CE
= 1.0 V
20
100
30
50
200 300
25
°
C
55
°
C
0.5
2.0
5.0
200
20
50
2.0
500
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
T
J
= 125
°
C
1.0
5.0
V
CE
= 1.0 V
20
100
50
200
25
°
C
55
°
C
10
500
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
100
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
2.0
5.0
200
20
50
300
30
1.0 ms
1.0 s
T
A
= 25
°
C
MPSA55
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA56
100 s
T
C
= 25
°
C
3.0
7.0
30
100
70
30
300
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MPSA06 T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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