參數(shù)資料
型號: MPSA06
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
中文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: MPSA06
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
3
Figure 2. MPSA05/06 CurrentGain —
Bandwidth Product
Figure 3. MPSA55/56 CurrentGain —
Bandwidth Product
Figure 4. MPSA05/06 Capacitance
Figure 5. MPSA55/56 Capacitance
Figure 6. MPSA05/06 Switching Time
Figure 7. MPSA55/56 Switching Time
100
200
2.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
200
10
200
100
70
50
20
10
100
0.1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80
60
40
20
10
8.0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
100
0.1
100
70
50
30
20
10
2.0
20
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
fT
NPN
PNP
C
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0
20
30
50 70
30
fT
50
1.0
2.0
5.0
0.2
0.5
6.0
4.0
C
ibo
C
obo
7.0
5.0
0.2
0.5
5.0
10
20
50
T
J
= 25
°
C
C
ibo
C
obo
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
5.0
500
200
100
70
50
20
10
100
100
t
t
50
200
500
1.0 k
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
50
200
500
1.0 k
700
5.0 7.0
30
300
30
70
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
300
30
7.0
300
70
20 30
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
C
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA18 Low Noise Transistor NPN Silicon(NPN低噪聲晶體管)
MPSA29 Darlington Transistors NPN Silicon(NPN達(dá)林頓晶體管)
MPSA42 High Voltage Transistors NPN Silicon(NPN高電壓放大器)
MPSA44 High Voltage Transistor(高壓晶體管)
MPSA64 Darlington Transistors PNP Silicon(PNP達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2