參數(shù)資料
型號(hào): MPS6652RLRA
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Amplifier Transistors
中文描述: 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 87K
代理商: MPS6652RLRA
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
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Specifications Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述
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參數(shù)描述
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRP 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
MPS6652RLRPG 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 40V TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MPS66R-5000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 6P6C SHIELDED SOLID ROUND 50u RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí):
MPS66RX-1000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 MPG 6P6C SH RD SD RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí):