參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6560G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Audio Transistor NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： MPS6560G
MPS6560
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
25
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
25
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 25 Vdc, I
B
= 0)
I
CES
100
nAdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB(off)
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
DC Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
35
50
50
200
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
V
BE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
60
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
C
obo
30
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MPS6562 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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