參數(shù)資料
型號: MPS6521G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Amplifier Transistors
中文描述: 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/11頁
文件大小: 174K
代理商: MPS6521G
MPS6521 (NPN) MPS6523 (PNP)
http://onsemi.com
5
NPN
MPS6521
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
Figure 13. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
Figure 14. TurnOff Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
Figure 15. CurrentGain — Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Input Impedance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t
t
f
T
h
o
h
Ω
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
7.0
70
100
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 Vdc
t
r
10
20
30
50
70
100
200
300
500
700
2.0
5.0
10
20
30
50
3.0
1.0
7.0
70 100
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
50
70
100
200
300
0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
T
J
= 25
°
C
f = 100 MHz
V
CE
= 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
T
J
= 25
°
C
f = 1.0 MHz
C
ib
C
ob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
h
fe
200 @ I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 Vdc
f = 1.0 kHz
T
A
= 25
°
C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
V
CE
= 10 Vdc
f = 1.0 kHz
T
A
= 25
°
C
h
fe
200 @ I
C
= 1.0 mA
相關PDF資料
PDF描述
MPS6521RLRA Amplifier Transistors
MPS6521RLRAG Amplifier Transistors
MPS6523G Amplifier Transistors
MPS6560G Audio Transistor NPN Silicon
MPS6652RLRA Amplifier Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6521RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6521RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6522 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6523 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6523_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier