參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6521G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： MPS6521G
MPS6521 (NPN) MPS6523 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 0.5 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
25
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0)
MPS6521
MPS6523
I
CBO
0.05
0.05
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 10 Vdc)
MPS6521
(I
C
= 2.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
MPS6521
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 10 Vdc)
MPS6523
(I
C
= 2.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
MPS6523
h
FE
150
300
150
300
600
600
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
3.5
pF
Noise Figure
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 10 k ,
Power Bandwidth = 15.7 kHz, 3.0 dB points @ 10 Hz and 10 kHz)
NF
3.0
dB
Figure 1. TurnOn Time
Figure 2. TurnOff Time
NPN
MPS6521
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0.5 V
<1.0 ns
10 < t
1
< 500 s
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0
9.1 V
<1.0 ns
t
1
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PDF描述
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MPS6521RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MPS6523_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
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