型號: | MMT08B064T3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 浪涌電流限制器 |
英文描述: | Thyristor Surge Protectors |
中文描述: | 77 V, 32 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA |
封裝: | LEAD FREE, CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大?。?/td> | 46K |
代理商: | MMT08B064T3G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMT08B350T3 | Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMT08B350T3G | Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMT10B350T3 | Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMT10B350T3G | Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMUN2134 | Bias Resistor Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMT08B260T3 | 功能描述:硅對稱二端開關元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
MMT08B260T3G | 功能描述:硅對稱二端開關元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
MMT08B310T3 | 功能描述:硅對稱二端開關元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
MMT08B310T3_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMT08B310T3G | 功能描述:硅對稱二端開關元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |