參數(shù)資料
型號(hào)： MMDT2222V
廠商： Diodes Inc.
英文描述： DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 雙npn型小信號(hào)晶體管表面貼裝
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商： MMDT2222V
DS30563 Rev. 2 - 0
3 of 4
MMDT2222V
www.diodes.com
-50
0
50
100
150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1, Derating Curve - Total
°
P
d
A
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2 Typical DC Current Gain vs
Collector Current
T = -25°C
T
= +25°C
A
T = 125°C
V
= 1.0V
CE
0.001
0.01
1
10
0.1
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I , BASE CURRENT (mA)
Fig. 4 Typical Collector Saturation Region
V
,
C
I = 1mA
I = 10mA
I = 30mA
I = 100mA
I = 300mA
1.0
5.0
20
10
30
0.1
10
1.0
50
C
REVERSE VOLTS (V)
Fig. 3 Typical Capacitance
Cobo
Cibo
1
0.1
10
100
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 6 Base Emitter Voltage vs. Collector Current
0.2
0.3
0.4
0.6
0.5
0.8
0.7
1.0
0.9
V
= 5V
CE
T
= 25°C
A
T = -50°C
T = 150°C
1
10
100
1000
V
,
S
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T
= 25°C
A
T = -50°C
T = 150°C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
C
I
B
= 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDT2222V-7 DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2227-7-F COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2227M COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2227M-7 COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907A-7-F DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMDT2222V-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT2222V-7-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A 6PIN SOT-563 - Tape and Reel
MMDT2222V-TP 功能描述:TRANSISTOR NPN DUAL 40V SOT563 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MMDT2227 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Multi-Chip Transistor
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