型號(hào): | MMDF2C03HDR2 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual |
中文描述: | 4.1 A, 30 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | MINIATURE, CASE 751-07, SO-8 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 125K |
代理商: | MMDF2C03HDR2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMDF2C03HDR2G | Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual |
MMDF3N02HDR2 | Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL |
MMDL301T1 | cable |
MMDL301 | Silicon Hot-Carrier Diodes |
MMDL301T1 | Silicon Hot-Carrier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMDF2C03HDR2G | 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MMDF2C03HDR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
MMDF2N02E | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
MMDF2N02ER2 | 功能描述:MOSFET 25V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MMDF2N02ER2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |