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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2369A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Switching Transistor |
| 中文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | MMBT2369A |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. ton Circuit — 10 mA
Figure 2. ton Circuit — 100 mA
Figure 3. toff Circuit — 10 mA
Figure 4. toff Circuit — 100 mA
Figure 5. Turn–On and Turn–Off Time Test Circuit
+10.6 V
–1.5 V
0
t1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
3 V
270
3.3 k
Cs* < 4 pF
10 V
95
1 k
Cs* < 12 pF
+10.8 V
–2 V
0
t1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.75 V
0
–9.15 V
t1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t1) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
–8.6 V
+11.4 V
t1
0
PULSE WIDTH (t1) BETWEEN
10 AND 500
μ
s
DUTY CYCLE = 2%
270
3.3 k
Cs* < 4 pF
95
1 k
Cs* < 12 pF
10 V
1N916
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS FOR 2N2369, 2N3227
Vout
90%
10%
Vin
0
ton
Vin
3.3 k
50
220
50
0.1
μ
F
Vout
3.3 k
0.0023
μ
F
0.005
μ
F
0.0023
μ
F
0.005
μ
F
0.1
μ
F
0.1
μ
F
VBB+
–
+
Vin
0
90%
10%
toff
Vout
VBB = +12 V
Vin = –15 V
TO OSCILLOSCOPE
INPUT IMPEDANCE = 50
RISE TIME = 1 ns
TURN–OFF WAVEFORMS
PULSE GENERATOR
Vin RISE TIME < 1 ns
SOURCE IMPEDANCE = 50
PW
≥
300 ns
DUTY CYCLE < 2%
TURN–ON WAVEFORMS
* Total shunt capacitance of test jig and connectors.
6
5
4
3
2
1
10
0.1
0.2
0.5
REVERSE BIAS (VOLTS)
1.0
2.0
5.0
C
S
LIMIT
TYPICAL
Cob
Cib
TJ = 25
°
C
Figure 6. Junction Capacitance Variations
100
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Typical Switching Times
β
F = 10
VCC = 10 V
VOB = 2 V
tr (VCC = 3 V)
VCC = 10 V
td
ts
tr
tf
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2369A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| MMBT2369A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 |
| MMBT2369A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369AL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23 |
| MMBT2369ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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