參數(shù)資料
型號： MMBT2484LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Low Noise Transistor
中文描述： 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： MMBT2484LT1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
60
Vdc
Collector–Base Voltage
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
50
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBT2484LT1 = 1U
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
60
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
60
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 45 Vdc, IE = 0)
(VCB = 45 Vdc, IE = 0, TA = 150
°
C)
ICBO
—
—
10
10
nAdc
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
IEBO
—
10
nAdc
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.
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by MMBT2484LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(NPN Silicon)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor
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參數(shù)描述
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