參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD352WT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
封裝： SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 11/33頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： MMBD352WT3
Package Outline Dimensions
8–6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
CASE 419–02
SC–70/SOT–323
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.071
0.087
1.80
2.20
B
0.045
0.053
1.15
1.35
C
0.035
0.049
0.90
1.25
D
0.012
0.016
0.30
0.40
G
0.047
0.055
1.20
1.40
H
0.000
0.004
0.00
0.10
J
0.004
0.010
0.10
0.25
K
0.017 REF
0.425 REF
L
0.026 BSC
0.650 BSC
N
0.028 REF
0.700 REF
R
0.031
0.039
0.80
1.00
S
0.079
0.087
2.00
2.20
V
0.012
0.016
0.30
0.40
0.05 (0.002)
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 4:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. N.C.
3. CATHODE
STYLE 5:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 7:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 9:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 10:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
3. ANODE–CATHODE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
1.80
2.20
0.071
0.087
INCHES
B
1.15
1.35
0.045
0.053
C
0.80
1.10
0.031
0.043
D
0.10
0.30
0.004
0.012
G
0.65 BSC
0.026 BSC
H
–––
0.10
–––
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
0.10
0.30
0.004
0.012
N
0.20 REF
0.008 REF
S
2.00
2.20
0.079
0.087
V
0.30
0.40
0.012
0.016
B
0.2 (0.008) MM
12
3
A
G
V
S
H
C
N
J
K
65
4
–B–
D 6 PL
CASE 419B-01
SOT–363
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER 2
2. BASE 2
3. COLLECTOR 1
4. EMITTER 1
5. BASE 1
6. COLLECTOR 2
STYLE 6:
PIN 1. ANODE 2
2. N/C
3. CATHODE 1
4. ANODE 1
5. N/C
6. CATHODE 2
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PDF描述
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MMBF0202PLT3 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170D87Z 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF2201NT3 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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MMBD353LT1G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
MMBD353LT3 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
MMBD353LT3G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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