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參數資料
| 型號： | MMBD352WT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 射頻混頻器 |
| 英文描述： | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/33頁 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | MMBD352WT3 |
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5–101
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Dual Schottky Barrier Diode
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable
also for use in detector and ultra–fast switching circuits.
Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts
Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
VR
7.0
VCC
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
200
1.6
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
625
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBD352WT1 = M5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Forward Voltage
(IF = 10 mAdc)
VF
—
0.60
V
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 3.0 V)
(VR = 7.0 V)
IR
—
0.25
10
mA
Capacitance
(VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
C
—
1.0
pF
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBD352WT1
1
2
3
MMBD352WT1
CASE 419 – 02, STYLE 9
SOT– 323 (SC – 70)
1
ANODE
3
CATHODE/ANODE
2
CATHODE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF0201NLT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF0202PLT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF170D87Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF2201NT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBF2202PT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBD353 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
| MMBD353LT1 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD353LT1G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD353LT3 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD353LT3G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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