參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD3000T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/32頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： MMBD3000T1
MMBD1000LT1 MMBD2000T1 MMBD3000T1 MMSD1000T1
3–47
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR = 100 A)
V(BR)
30
—
V
Reverse Voltage Leakage Current (VR = 75 V)
IR
—
500
pA
Forward Voltage (IF = 1.0 mA)
Forward Voltage (IF = 10 mA)
VF
—
850
950
mV
Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
—
2.0
pF
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mA) (Figure 1)
trr
—
3.0
s
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
F
DUT
VR
100
H
0.1
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
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PDF描述
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