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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJF32C |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS |
| 中文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | MJF32C |
MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP)
http://onsemi.com
2
θ
JA
JC
Base–Emitter On Voltage (IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
100
–
Vdc
VBE(on)
Collector Cutoff Current
–
–
ICEO
–
200
1.8
0.3
Vdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ICES
μ
Adc
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
–
1.0
mAdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
10
50
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJF32CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF36400 | 制造商:Square D by Schneider Electric 功能描述:MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 400A |
| MJF36800 | 制造商:Schneider Electric 功能描述:MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 800A |
| MJF4343 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| MJF44H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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