參數(shù)資料
型號： MJF31C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 90K
代理商： MJF31C
MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP)
http://onsemi.com
6
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MJF31C
TO–220 FULLPAK
50 Units/Rail
MJF32C
TO–220 FULLPAK
50 Units/Rail
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF32C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
MJF44H11 Complementary Power Transistors
MJF45H11 Complementary Power Transistors
MJL21195 STARTER KIT, EASY 500; Output type:Relay; Temp, op. max:55(degree C); Temp, op. min:-25(degree C) RoHS Compliant: Yes
MJL21196 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJF31C_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors
MJF31CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF32C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF32CG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJF36400 制造商:Square D by Schneider Electric 功能描述:MOLDED CASE CIRCUIT BREAKER 600V 400A
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