參數(shù)資料
型號： MJE800
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(互補型達林頓硅功率晶體管)
中文描述： 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： MJE800
MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) MJE800, MJE802, MJE803 (NPN)
http://onsemi.com
2
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
OFF CHARACTERISTICS
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0)
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
80
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 80 Vdc, I
B
= 0)
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
I
CEO
100
Adc
(V
= Rated BV
, I
= 0, T
= 100 C)
500
Emitter Cutoff Current
BE
C
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 1)
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
h
FE
(I
= 1.5 Adc, I
= 30 mAdc)
C
B
(I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
All devices
3.0
DYNAMIC CHARACTERISTICS
SmallSignal Current Gain
C
CE
25
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
Figure 1. Power Derating
0
50
125
150
30
P
TO220AB
50
40
20
10
75
100
TO126
相關PDF資料
PDF描述
MJF4343 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJF6388 Complementary Power Darlingtons(互補型功率晶體管)
MJL0281A Complementary NPN(互補型NPN)
MJL0302A Complementary NPN(互補型NPN)
MJW21196 Silicon Power Transistors(硅功率晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJE800G 功能描述:達林頓晶體管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE800STU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE800T 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
MJE801 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE801STU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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