參數(shù)資料
型號： MJE18009DW
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 28/66頁
文件大小： 512K
代理商： MJE18009DW
5–7
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BA
LEADFORM AN
LEADFORM AK
MOUNTING
SURFACE
.285
± 0.020
0.040 RAD
± 0.015
.240
± 0.015
.186
± .03
CASE
221A–04
221A–06
A
0.220 Min.
0.190 Min.
B
0.325 Min.
0.290 Min.
MOUNTING
SURFACE
0.020 RAD.
TYP.
0.100
TYP.
0.100 TYP.
± 0.020
.150 MIN
.100 REF
.200 REF
.140
± .010
.017
REF
.032 REF
.050 REF
.06 R
.580
± .010
A
0.586
0.616
.380
± .02
.590
± .010 .775
± 0.015
B
LEADFORM BG
0.620 REF.
0.780
± 0.015
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18009BU 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BG 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BS 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204AF 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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