參數(shù)資料
型號： MJD44E3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Power Transistor(達(dá)林頓功率晶體管)
中文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 50K
代理商： MJD44E3
MJD44E3
http://onsemi.com
2
C
0.5
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
I
10
A
EBO
(I
= 5 Adc, I
= 10 mAdc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 20 mAdc)
1.5
BaseEmitter Saturation Voltage
C
B
V
2.5
Vdc
FE
SWITCHING TIMES
(I
C
= 10 Adc, I
B1
= 20 mAdc)
(I
C
= 10 Adc, I
B1
= I
B2
= 20 mAdc)
t
2
s
Fall Time
C
B1
B2
t
s
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
5
10
20
100
5
I
2
1
0.2
0.1
0.5
50
2
30
1
Figure 1. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
Figure 2. Power Derating
T
C
T
A
T
C
= 25
°
C SINGLE PULSE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
T
A
T
C
0.3
3
100 s
1 ms
5 ms
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PDF描述
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