參數(shù)資料
型號: MJD32
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Power Transistors(互補型功率晶體管)
中文描述: 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: MJD32
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK3
CASE 369D01
ISSUE B
1
2
3
4
V
S
A
K
T
SEATING
R
B
F
G
D
3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.180
0.025
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
0.63
0.89
3.93
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.040
0.050
1.01
0.58
9.65
5.45
1.01
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
Z
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
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MJD32BTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2