參數(shù)資料
型號(hào)： MJD31C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors(補(bǔ)償型功率晶體管)
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： MJD31C
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C
ISSUE O
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T
SEATING
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.018
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.180
0.025
0.020
0.035
0.155
MAX
0.245
0.265
0.094
0.035
0.023
0.045
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.46
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.57
0.63
0.51
0.89
3.93
MAX
6.22
6.73
2.38
0.88
0.58
1.14
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.040
0.050
5.45
1.01
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32 Complementary Power Transistors(互補(bǔ)型功率晶體管)
MJD340 High Voltage Power Transistors(高電壓功率晶體管)
MJD44E3 Darlington Power Transistor(達(dá)林頓功率晶體管)
MJD44H11 Complementary Power Transistors(互補(bǔ)型功率晶體管)
MJD45H11 Complementary Power Transistors(互補(bǔ)功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C-1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-252VAR
MJD31C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 5A NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V IPAK-4
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*