參數(shù)資料
型號： MJB44H11T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors
中文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： MJB44H11T4
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
(I
C
= 30 mA, I
B
= 0)
V
CEO(sus)
80
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
BE
= 0)
I
CES
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 5 Vdc)
I
EBO
50
μ
A
ON CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
V
CE(sat)
1.0
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 8 Adc, I
B
= 0.8 Adc)
V
BE(sat)
1.5
Vdc
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 2 Adc)
h
FE
60
DC Current Gain
(V
CE
= 1 Vdc, I
C
= 4 Adc)
40
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
C
cb
130
230
pF
Gain Bandwidth Product
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 20 MHz)
MJB44H11
MJB45H11
f
T
50
40
MHz
SWITCHING TIMES
Delay and Rise Times
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
d
+ t
r
300
135
ns
Storage Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
s
500
500
ns
Fall Time
(I
C
= 5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 Adc)
MJB44H11
MJB45H11
t
f
140
100
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJB45H11 Complementary Power Transistors
MJB45H11T4 Complementary Power Transistors
MJF31C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
MJF32C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
MJF44H11 Complementary Power Transistors
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參數(shù)描述
MJB44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
MJB44H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB45H11 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB45H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB45H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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