參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US61
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 234K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
4
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
V
CE
– V
GE
C
C
Gate-emitter voltage V
GE
(V)
I
C
– V
GE
C
C
0
0
5
10
15
20
2
4
6
8
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Common emitter
Tj 25°C
IC 300 A
900
600
0
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5
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Common emitter
Tj 125°C
600
IC 300 A
900
900
500
400
300
200
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Common
emitter
Tj 25°C
600
700
800
20
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VGE 9 V
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900
500
400
300
200
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0
0
2
4
6
8
10
Common
emitter
Tj 25°C
600
700
800
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10
VGE 9 V
12
0
0
5
10
15
20
2
4
6
8
10
12
Common emitter
Tj 40°C
900
IC 300 A
600
900
500
400
300
200
100
0
600
700
800
Common emitter
VCE 5 V
0
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6
2
8
4
12
Tj 125°C
25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600J1US51 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75J2YS50 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
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參數(shù)描述
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