參數(shù)資料
型號： MG600Q1US61
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: t
f
= 0.3 μs (max)
Inductive load
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.6 V (max)
The electrodes are isolated from case.
Enhancement-mode
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
Collector current
DC (Tc 80°C)
I
C
600
A
Forward current
DC (Tc 80°C)
I
F
600
A
Collector power dissipation
(Tc 25°C)
P
C
5400
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
isol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
N·m
Screw torque
Mounting
3
N·m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G
E
E
C
相關PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600J1US51 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75J2YS50 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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