參數(shù)資料
型號(hào)： MG600J2YS60A
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： MG600J2YS60A
MG600J2YS60A
2002-09-06
3
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Stage
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
600
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
600
Collector current
1 ms
I
CP
1200
A
DC
I
F
600
Forward current
1 ms
I
FM
1200
A
Inverter
Collector power dissipation (Tc 25°C)
P
C
2770
W
Control voltage (OT)
V
D
20
V
Fault input voltage
VF
O
20
V
Control
Fault input current
IF
O
20
mA
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40~125
°C
Operation temperature range
T
ope
20~100
°C
Isolation voltage
V
isol
2500 (AC 1 min)
V
Module
Screw torque
3 (M5)
N
m
Electrical Characteristics
(T
j
25°C)
1. Inverter Stage
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
V
GE
20 V, V
CE
0
3/ 4
mA
Gate leakage current
I
GES
V
GE
10 V, V
CE
0
100
nA
Collector cut-off current
I
CES
V
CE
600 V, V
GE
0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
V
GE (off)
V
CE
5 V, I
C
600 mA
5.0
6.5
8.0
V
Tj 25°C
2.1
2.4
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
V
GE
15 V,
I
C
600 A
Tj 125°C
2.6
V
Input capacitance
C
ies
V
CE
10 V, V
GE
0, f 1 MHz
5000
pF
Turn-on delay time
t
d (on)
0.10
1.00
Turn-off time
t
off
2.00
Switching time
Fall time
t
f
0.50
Reverse recovery time
t
rr
V
CC
300 V, I
C
600 A
V
GE
15 V, R
G
5.1
(Note 1)
0.50
s
Forward voltage
V
F
I
F
600 A
2.1
2.4
V
Note 1: Switching time test circuit & timing chart
2. Control
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Fault output current
OC
V
GE
15 V
720
A
Over temperature
OT
100
125
°C
Fault output delay time
t
d (Fo)
V
CC
300 V, V
GE
15 V
6.5
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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