參數(shù)資料
型號(hào): MCR12D
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 晶閘管
英文描述: GT 10C 10#16 SKT RECP
中文描述: 12 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封裝: CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商: MCR12D
MCR12D, MCR12M, MCR12N
http://onsemi.com
4
Figure 5. Typical Holding Current versus
Junction Temperature
Figure 6. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
–25
20
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
10
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–25
65
–40
0.2
20
5
,
I
50
110
65
5
125
35
50
V
80
1
1.0
–10
35
95
100
–10
95
80
125
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
110
Figure 7. Typical Latching Current versus
Junction Temperature
65
125
–40
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
10
1
–25
5
20
50
95
100
–10
35
80
110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCR12M Silicon Controlled Rectifiers
MCR12N Silicon Controlled Rectifiers
MCR225-10FP ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS
MCR225-8FP ISOLATED SCRs 25 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS
MCR649AP1 SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCR12DCM 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DCMT4 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DCMT4G 功能描述:SCR 600V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR12DCMT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
MCR12DCN 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers