參數(shù)資料
型號(hào)： MCIMX515DJZK8C
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 140/202頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MPU I.MX51 527MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： i.MX51
核心處理器： ARM? Cortex?-A8
芯體尺寸： 32-位
速度： 800MHz
連通性： 1 線，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 128
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
RAM 容量： 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 0.8 V ~ 1.15 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -20°C ~ 85°C
封裝/外殼： 527-TFBGA
包裝： 托盤
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁當(dāng)前第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁
i.MX51 Applications Processors for Consumer and Industrial Products, Rev. 6
42
Freescale Semiconductor
Electrical Characteristics
AC electrical characteristics in DDR mobile for Fast mode and ovdd=1.65 – 1.95 V, ipp_hve=0 are placed
1 Max condition for tpr, tpo, tps and didt: wcs model, 1.1 V, IO 1.65 V, 105 °C and s0-s5=111111. Typ condition for tpr, tpo,
tps and didt: typ model, 1.2 V, IO 1.8 V, 25 °C and s0-s5 = 101010. Min condition for tpr, tpo, tps and didt: bcs model, 1.3 V,
IO 1.95 V, –40 °C and s0-s5 = 000000.
2 Max condition for trfi and tpi: wcs model, 1.1 V, IO 1.65 V and 105 °C. Typ condition for trfi and tpi: typ model, 1.2 V, IO
1.8 V and 25 °C. Min condition for trfi and tpi: bcs model, 1.3 V, IO 1.95 V and –40 °C.
3 Hysteresis mode is recommended for input with transition time greater than 25 ns.
Table 39. AC Electrical Characteristics of DDR mobile IO Pads for Fast Mode and
ovdd=1.65–1.95 V (ipp_hve=0)
Parameter
Symbol
Test
Condition
Min
rise/fall
Typ
Max
rise/fall
Units
Output Pad Transition Times (High Drive)1
tpr
15pF
35pF
1.35/1.31
2.99/2.94
1.02/1.03
2.28/2.29
0.89/0.89
1.85/1.94
ns
Output Pad Transition Times (Medium Drive)1
tpr
15pF
35pF
2.00/1.99
4.55/4.44
1.56/1.53
3.38/3.45
1.28/1.32
2.79/2.85
ns
Output Pad Transition Times (Low Drive)1
tpr
15pF
35pF
4.08/3.92
8.93/8.95
3.11/3.06
6.84/6.81
2.50/2.61
5.56/5.76
ns
Output Pad Propagation Delay (High Drive)1
tpo
15pF
35pF
1.54/1.52
2.69/2.75
1.73/1.62
2.59/2.55
2.36/2.09
3.04/2.86
ns
Output Pad Propagation Delay (Medium Drive)1
tpo
15pF
35pF
2.00/2.02
3.75/3.86
2.08/2.00
3.38/3.39
2.64/2.40
3.65/3.56
ns
Output Pad Propagation Delay (Low Drive)1
tpo
15pF
35pF
3.43/3.52
6.92/7.20
3.13/3.13
5.72/5.94
3.47/3.34
5.49/5.65
ns
Output Pad Slew Rate (High Drive)1
tps
15pF
35pF
0.87/0.89
0.39/0.40
1.06/1.05
0.47/0.47
1.11/1.11
0.54/0.51
V/ns
Output Pad Slew Rate (Medium Drive)1
tps
15pF
35pF
0.58/0.59
0.26/0.26
0.69/0.71
0.32/0.31
0.77/0.75
0.35/0.35
V/ns
Output Pad Slew Rate (Low Drive)1
tps
15pF
35pF
0.29/0.30
0.13/0.13
0.35/0.35
0.16/0.16
0.40/0.38
0.18/0.17
V/ns
Output Pad di/dt (High Drive)1
di/dt
—
185
91
46
mA/ns
Output Pad di/dt (Medium drive)1
di/dt
—
124
61
31
mA/ns
Output Pad di/dt (Low drive)1
di/dt
—
62
30
16
mA/ns
Input Pad Transition Times2
trfi
1.2 pF
0.09/0.09
0.132/0.128
0.212/0.213
ns
Input Pad Propagation Delay without Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.45/0.93
0.6/0.58
0.9/0.88
ns
Input Pad Propagation Delay with Hysteresis
(CMOS input), 50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.55/0.55
0.71/0.7
1.03/0.98
ns
Input Pad Propagation Delay (DDR input),
50%-50%2
tpi
1.2 pF
0.38/0.38
0.58/0.61
1.014/1.07
—
Maximum Input Transition Times3
trm
—
5
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCIMX537CVV8B MULTIMEDIA PROC 529-TEPBGA
MCP2003-E/MD TXRX LIN BUS BIDIRECT 8DFN
MCP201T-I/SN IC LIN TXRX ON-BOARD VREG 8SOIC
MCP2021A-330E/MD IC TXRX LIN 3.3V LDO 8-DFN
MCP2022PT-500E/ST IC TXRX LIN ON-BOARD VREG 14TSSO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCIMX515DVK8B 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MCIMX515DVK8C 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 ELVIS 3.0 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
MCIMX515DVM8B 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:APPLICATIONS PROCESSOR TRAY - Bulk
MCIMX516AJM6C 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 ELVIS 3.0 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
MCIMX516AJM6CR2 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:ELVIS 3.0 AUTO NO MV - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*